机译:高透射率嵌入层在透射率控制掩模中的应用仿真及衰减相移掩模的优化设计
机译:TiSi_xN_y和TiSi_xO_yN_z作为193 nm衰减相移掩模的嵌入式材料
机译:通过近场相移光刻技术传输的纳米图像轮廓通过有限元方法精确模拟并制造
机译:用于1X光刻的基于铬的衰减型嵌入式相移光掩模坯料
机译:使用二值化双相移方法进行高质量3D形状测量
机译:铁氟龙/ SiO2双层钝化层可提高采用新型双光掩模自对准工艺制造的氧化物TFT的电气可靠性
机译:用于193nm光刻的Tisi-氮化物衰减相移光掩模
机译:光掩模空白的干涉测量计:使用633 nm波长的方法。